等離子體增強化學氣相沉積系統(PECVD)

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等離子體增強化學氣相沉積系統(PECVD)

等離子體增強化學氣相沉積系統(PECVD),符合CE認證標準的三溫區CVD系統,生長樣品腔的管徑60-120mm,它是由高溫管式爐、多路高精度流量控制與供氣系統、機械泵、真空密封及測量系統、尾氣處理系統組成,極限真空度可達 10^-5 torr 。

主要特點:

1,優勢在于各種薄膜材料、低維納米材料等的制備(尤其適用于過渡金屬二維半導體材料的生長與原位摻雜,以及多元二維材料的生長)

2,可選配遠程等離子射頻發生系統,可用于各種薄膜材料、低維納米材料等的等離子體輔助生長、刻蝕加工與材料表面修飾(尤其適用于石墨烯、氮化硼等二維材料的無催化生長,缺陷調控,以及器件制作工藝中的殘膠去除)

3,生長工藝設計先進,能滿足任意襯底無催化生長

4,應用案例(點擊跳轉)

 

設備主要技術參數

溫控參數 單位
溫度 1200
功率 6.5 kw
溫控精度 ±1
真空系統
真空泵 1 x 10-3 (7.5 x 10-4) mbar (Torr)
真空泵(開氣鎮) 1.5 x 10-2 (1.1 x 10-2) mbar (Torr)
真空泵(使用PEPE 油) 1 x 10-2(7.5 x 10-3) mbar (Torr)
腔體內真空度 優于2.0*10-2 Torr
流量控制參數
泄露率 <4×10-9 atm-cc/secHe
分辨率 全量程的0.1%
響應時間氣特性 <2 s
響應時間電特性 500 ms
尾氣吸收參數
材質 殼體鋁合金、不銹鋼
吸氣腔 聚四氟乙烯
等離子體系統參數
功率輸出 5 – 300,5 – 500 W
信號頻率 13.56 ±0.005% MHz
反射功率 200 W
功率穩定度 ±0.1%
諧波分量 ≤-50 dbc
供電電壓 187V – 253V —- 頻率50/60HZ

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